Курсовая работа

Варианты задач курсовой работы
Задача № 1

Изобразить структуру фотоприемника. Изобразить ВАХ фотоприемника. Дать определение основным параметрам. Пояснить принцип работы фотоприемника. Привести примеры устройств использующих, рассматриваемый Вами фотоприемник.

Таблица 1 – Варианты и типы фотоприемников
Вариант
Тип фотоприемника (ФП)
0
Фотодиод на основе р-n перехода
1
Фотодиод со структурой р-i-n
2
Фотодиод с барьером Шоттки
3
Фотодиод с гетероструктурой
4
Лавинный фотодиод
5
Фотодиод - транзистор6
Составной фототранзистор7
Фототранзистор
8
Фототиристор
9
Фоторезистор

Задача № 2
Определить длинноволновую границу фотоэффекта λгр и фоточувствительность приемника. Изобразить вид спектральной характеристики фотоприемника и указать на ней λгр.

Исходные данные для решения задачи приведены в таблице 2.

Задача № 3
Изобразить принципиальную схему включения семисегментного полупроводникового индикатора. Описать принцип действия индикатора. Указать какой цифровой код и какие состояния выходов дешифратора определяют индикацию цифры, соответствующей последней цифре Вашего пароля. Результаты оформить в виде таблицы истинности.

Задача № 4

Изобразить схему включения светодиода, с указанием полярности включения источника питания Uпит и номинала ограничительного сопротивления Rогр . Рассчитать какую силу света обеспечивает светодиод, при заданных Uпит и Rогр. Определить длину волны соответствующую максимуму спектрального распределения. Исходные данные Вашего варианта указаны в таблице 4.

Правила выполнения курсовой работы
При выполнении курсовой работы необходимо соблюдать следующие правила:

1. В курсовой работе обязательно должен быть указан год издания методического пособия, которым пользовался студент, и должны быть записаны условия задач.
2. Решение задач должно сопровождаться подробными пояснениями по каждому пункту задания.
3. Все графические построения надо выполнять карандашом, отчетливо и аккуратно.
4. Все величины, определяемые из графика, должны быть указаны на этом графике.
5. Если работа не допущена к защите, то исправление решения задач или их новое решение производятся на чистых листах работы.
6. В конце работы студент должен указать литературу, которой он пользовался при выполнении курсовой работы, поставить свою подпись и дату выполнения работы.

=============================================

Основные вопросы курса «Оптоэлектроника и нанофотоника»
1. Особенности оптической электроники [1стр 19-21]
2. История оптоэлектроники [1стр 21-27 ]
3. Перспектива развития фотонных систем доступа [1стр 27-29]
4. Интеграция фотоники и СВЧ электроники [1стр 29-30]
5. Система обозначений оптоэлектронных приборов (полупроводниковых приборов) [1стр 33-34 ]
6. Различие фотометрических и энергитических характеристик [1стр 30]
7. Закон Ламберта [1стр 37]
8. Энергетические характеристики [1стр 37-40]
9. Энергетические параметры [1стр 40]
10. Колометрические параметры [1стр 40-44]
11. Параметры оптического излучения [1стр 44]
12. Когерентность оптического излучения [1стр 44-49]
13. Квантовые переходы и вероятности оптических переходов [1стр 50-54]
14. Ширина спектральной линии [1стр54-56]
15. Использование вынужденных переходов для усиления электромагнитного поля [1стр 56-59]
16. Механизм генерации излучения в полупроводниках [1стр 61-63]
17. Прямозонные и непрямозонные полупроводники [1стр 63-68]
18. Внешний квантовый выход и потери излучения [1стр 68-70]
19. Излучатели на основе гетероструктур [1стр70-73]
20. Поглощение света в твердых телах [1стр73-75]
21. Закон Бугера-Ламберта [1стр75-78]
22. Оптические явления в полупроводниках [1стр 78-82]
23. Излучательная и спектральная характеристика [1стр82-85]
24. Методы модуляции лазерного излучения[1стр 85-87]
25. Фотовольтаические эффекты в контактах [1стр 87-89]
26. Законы отражения и преломления света [1стр 92-94]
27. Номинальная числовая аппаратура стекловолокна [1стр 99]
28. Уширение импульсных сигналов в стекловолокнах [1стр 101-103]
29. Типы волоконных световодов [1стр 103- 108]
30. Окна прозрачности стекловолокна [1стр 108]
31. Потери в стекловолокне [1стр 110-122]
32. Фотоно-кристаллическое волокно [1стр 122-124]
33. Сравнительная характеристика коаксиальных медных кабелей и стекловолокон [1стр 124]
34. Разрушение волоконных световодов под действием лазерного излучения [1стр 127]
35. Источники света [1стр 132]
36. Характеристики и параметры светодиодов [1стр 132-141]
37. Схемы возбуждения светодиодов [1стр 141-147]
38. Модели светодиодов [1стр 150-153]
39. Светодиоды инфракорасного излучения [1стр 153]
40. Светодиодные источники повышенной яркости и белого света [1стр 155-160]
41. Ресурсосберегающие источники света [1стр 160-162]
42. Эксилампы [1стр 162-165]
43. Физические основы усиления и генерации лазерного излучения 169-172]
44. Структурная схема лазера [1стр 172-176]
45. Устройство и принцип действия лазеров с гетероструктурами [1стр 191-195]
46. ДГС лазеры [1стр184-188]
47. Волокно-оптические усилители [1стр 195-196]
48. Волокно-оптические лазеры [1стр 196-198]
49. Принцип работы фотоприемных приборов [1стр 207-211]
50. Характеристики и параметры фотоприемников [1стр 211-215]
51. Модели фотоприемников [1стр 226-228]
52. Фотодиоды на основе p-n перехода [1стр 228-230]
53. Фотодиоды на основе p-i-n структур [1стр 230-233]
54. Фотодиоды Шоттки [1стр 233-235]
55. Фотодиоды с гетероструктурой [1стр 236-237]
56. Лавинные фотодиоды [1стр 237-239]
57. Биполярные фототранзисторы [1стр 239- 242]
58. Полевые фототранзисторы [1стр 243-249]
59. Фототиристоры [1стр 249-251]
60. Фоторезисторы [1стр 251-256]
61. Многоэлементные фотоприемники [1стр 256-280]
62. Устройство и принцип действия оптронов [1стр 281-284]
63. Структурная схема оптрона [1стр284-285]
64. Классификация и параметры оптронов [1стр 286-288]
65. Электрическая модель оптрона. Волстрон [1стр 289-291]
66. Резисторные оптопары [1стр 291-293]
67. Диодные оптопары [1стр 293-294]
68. Транзисторные оптопары [1стр 294-296]
69. Тиристорные оптопары [1стр 297-298]
70. Жидкокристаллические индикаторы [1стр 302-321]
71. Электролюминесцентные индикаторы [1стр 321-325]
72. Плазменные панели [1стр 325-330]
73. Электрохромные индикаторы [1стр 330-332]
74. Отображение информации индикаторными приборами [1стр 332-335]
75. Оптоэлектронные усилители [1стр 339-342]
76. Трансимпеданский усилитель [1стр 343-345]
77. Оптоэлектронные активные фильтры [1стр 345-348]
78. Оптоэлектронные генераторы [1стр 348-352]
79. Оптоэлектронные аналоговые ключи и регуляторы Оптоэлектронная ИМС К249КН1 [1стр 352-356]
80. Применение оптронов для выполнения логических операций [1стр 356-358]
81. Применение оптронов как аналогов электрорадиокомпонентов [1стр 358-360]
82. Применение оптоэлектронных приборов в устройствах большой мощности [1стр 360-362]
89.Устройство и принцип действия оптических устройств записи информации [1стр 362- 365]
90. Принцип лазерного – оптического считывания информации [1стр 365-368]
91.Принцип цифровой оптической записи воспроизведения информации с компакт-дисков [1стр 368-393]
92. Классификация волоконно-оптических систем связи [1стр 397-398]
93. Цифровые волоконно-оптические системы связи [1. стр. 411-423]
94. Аналоговые волоконно-оптические системы связи [1. стр. 423-440]
95. Медиаконверторы и их приложение [1. стр 440-441]
96. Классификация низкоразрядных объектов [1. стр 448-450]
97. Квантовые эффекты в полупроводниках [1. стр. 450-453]
98. Оптические свойства наноматериалов [1. стр. 453-463]
99. Лазеры на основе квантово-разрядных эффектов [1. стр. 471-473]
100. Cравнение оптических свойств малоразрядных и объемных материалов [1. стр. 473-476]
101. Наноэлектронные лазеры с горизонтальными резораторами [1. стр. 479-481]
102. Наноэлектронные лазеры с вертикальными резонаторами [1. стр. 481-489]
103. Лазеры с квантовыми точками [1. стр. 494-496]
104. Оптические модуляторы на квантовых точках [1. стр. 497-500]
105. Фотодетекторы на основе квантовых ям [1. стр. 500-503]
106. Жидкокристаллические дисплеи [1. стр. 512-517]
107. Дисплеи на основе органических светодиодов [1. стр. 518-520]
108. Лазерные системы идентификации [1. стр. 533-535]
109. Квантовая нанотехнология и ее продукция [1. стр. 535-545]